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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Compara
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Puntuación global
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3501
2532
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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