RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Compara
Kingston KN2M64-ETB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Puntuación global
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
47
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2037
2930
Kingston KN2M64-ETB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston KHX16 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link