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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Compara
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2317
2545
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965684-013.A00G 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
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