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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Compara
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
38
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2317
3372
Kingston KP4T2F-PSB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
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