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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Compara
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
21.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
17.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
4251
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
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