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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Compara
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
3972
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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