RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Compara
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
74
En 65% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
74
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
1849
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link