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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Compara
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
3956
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
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