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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
26
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
3929
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
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