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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Compara
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
41
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
41
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
8.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
2126
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
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Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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