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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Compara
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
2201
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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