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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Diferencias
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Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
26
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
21.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
19.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
4240
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
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