RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
75
En -150% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
30
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
3564
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link