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Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
75
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
35
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2336
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
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