RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
75
En -150% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
30
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2870
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link