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Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
75
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
34
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2201
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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