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Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
75
En -295% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
19
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
3169
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
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Kingston KF548C38-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Mushkin 991586 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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