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Kingston KVR533D2N4 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
75
En -150% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
4200
En 6.1 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
30
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
25600
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
3026
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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