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Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
75
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
4200
En 6.1 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
35
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
25600
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
3221
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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