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Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
75
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
4200
En 6.1 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
38
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
25600
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2283
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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