RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
75
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
40
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
1773
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link