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Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
75
En -226% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
23
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2532
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
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