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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Compara
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Puntuación global
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
50
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
1,905.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
32
Velocidad de lectura, GB/s
5,143.3
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,905.1
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
855
3340
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
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