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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Puntuación global
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2848
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
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