RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Compara
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Puntuación global
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
36
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
10.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
22
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.8
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2720
3929
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT2TXRG 8GB
Mushkin 996902 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link