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Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Compara
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Puntuación global
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
40
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2455
2155
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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