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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Puntuación global
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Puntuación global
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Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Razones a tener en cuenta
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    59 left arrow 70
    En 16% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 15.3
    Valor medio en las pruebas
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.8 left arrow 1,855.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 5300
    En 4.02 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    59 left arrow 70
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,168.0 left arrow 15.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,855.7 left arrow 8.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    680 left arrow 1971

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones

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Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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Memoria RAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Memoria RAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Memoria RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
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Memoria RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Memoria RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Memoria RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Memoria RAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Memoria RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
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Memoria RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
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Memoria RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
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