RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Compara
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Puntuación global
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
59
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
1,855.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,168.0
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,855.7
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
680
3014
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link