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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Compara
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Puntuación global
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
59
En -111% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
1,855.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,168.0
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,855.7
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
680
3519
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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