Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Puntuación global
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 16.8
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 59
    En -127% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    13.5 left arrow 1,855.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 5300
    En 4.02 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    59 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,168.0 left arrow 16.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,855.7 left arrow 13.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    680 left arrow 2880
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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