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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Puntuación global
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Razones a tener en cuenta
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 14.8
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 59
    En -136% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.9 left arrow 1,855.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 5300
    En 3.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    59 left arrow 25
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,168.0 left arrow 14.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,855.7 left arrow 8.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    680 left arrow 2542

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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Memoria RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Memoria RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Memoria RAM
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Memoria RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Memoria RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Memoria RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
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