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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Puntuación global
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Razones a tener en cuenta
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 17.7
    Valor medio en las pruebas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    22 left arrow 59
    En -168% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.7 left arrow 1,855.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 5300
    En 4.02 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    59 left arrow 22
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,168.0 left arrow 17.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,855.7 left arrow 12.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    680 left arrow 3075

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaciones de la memoria RAM

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Memoria RAM
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Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Memoria RAM
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Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
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Memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
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Memoria RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
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Memoria RAM
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
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Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
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Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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