RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
39
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
39
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2852
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link