RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En -22% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
27
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2577
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link