RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
26
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3153
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link