RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
33
En -6% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
31
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3042
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link