RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
67
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
67
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
1895
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link