RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
24
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3009
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link