RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
33
En -3% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
32
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2779
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link