RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
51
En 35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
51
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2336
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link