RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
51
En 35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
51
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2336
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link