RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
33
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
25
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3774
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link