RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3568
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link