RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
24
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
18.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
4114
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link