RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
33
En -32% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
25
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2346
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link