RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3050
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link