RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
33
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2590
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link