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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
34
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
34
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2812
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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