RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En -27% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
26
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2806
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link