RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En -38% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
24
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2773
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link