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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
23400
En 1.09% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
23400
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3419
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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